碳化硅资料遍及用于陶瓷球轴承、阀门、半导体资料、陀螺、测量仪、航空航天等范畴，已经成为一种在许多工业范畴不行代替的资料。SiC是一种天然超晶格，又是一种典型的同质多型体。因为Si与C双原子层堆积序列的差异会导致不同的晶体结构，有着超越200种（现在已知）同质多型族。
因而SiC十分合适用作新一代发光二极管（LED）衬底资料、大功率电力电子资料。SiC的硬度仅次于金刚石，能够作为砂轮等磨具的磨料，因而对其进行机械加工主要是使用金刚石砂轮磨削、研磨和抛光，其间金刚石砂轮磨削加工的功率 高，是加工SiC的重要手法。
可是SiC资料不只具有高硬度的特色，高脆性、低断裂韧性也使得其磨削加工进程中易引起资料的脆性断裂然后在资料外表留下外表破碎层，且发生较为严峻的外表与亚表层损害，影响加工精度。因而，深入研讨SiC磨削机理与亚外表损害关于进步SiC磨削加工功率和外表质量具有重要意义。
