碳化硅陶瓷反应烧结的工艺流程

　　碳化硅陶瓷不仅具有优良的常温力学性能，且高温力学性能(强度、抗蠕变性等)是已知陶瓷材料中好的。今天小编就为大家介绍下碳化硅陶瓷反应烧结的工艺流程，希望对您有所帮助。
 

　　反应烧结的工艺过程为：先将α-SiC粉和石墨粉按比例混匀，经干压、挤压或注浆等方法制成多孔坯体。在高温下与液态Si接触，坯体中的C与渗入的Si反应，生成β-SiC，并与α-SiC相结合，过量的Si填充于气孔，从而无孔致密的反应烧结体。反应烧结SiC通常含有8的游离Si。
 

　　因此，为保证渗Si的完全，素坯应具有足够的孔隙度。一般通过调整混合料中α-SiC和C的含量，α-SiC的粒度级配，C的形状和粒度以及成型压力等手段来获得适当的素坯密度。